KIOXIA和西部数据成功研发第五代BiCS NAND闪存,BiCS5 3D 堆叠达112 层、速度加快50%

科技资讯 不思进取 1年前 (2020-02-03) 401次浏览 0个评论 扫描二维码

KIOXIA 和 WD 这两家在 NAND 闪存芯片相互合作的厂商,近日正式宣布成功研发第五代 BiCS 系列 NAND 闪存芯片。BiCS5 不仅在 3D 堆叠层数达到 112 层,I/O 频宽也有所改良,相较前一世代 BiCS4,部分测试项目效能增进达 50%。

如果读者不熟悉 KIOXIA 是何许人也?其实就是过去的 Toshiba Memory 易名而来,仍旧专注于非挥发性内存的研发与生产工作。在 NAND 型内存领域相互合作的 KIOXIA 和 WD 2 家公司,均于近日正式宣布完成第五代 BiCS(Bit Cost Scalable)的研发。

KIOXIA和西部数据成功研发第五代BiCS NAND闪存,BiCS5 3D 堆叠达112 层、速度加快50%

据悉,BiCS5 将 3D 堆叠层数从上一代 BiCS4 的 96 层提升至 112 层,KIOXIA 表示单位面积容量提升 20%(WD 所提供数据为单一晶圆容量提升 50%),2020 上半年初期样品将采用 TLC 储存形式,单一颗粒容量为 512Gbit,未来预计将同步提供 TLC 和 QLC 储存形式产品,单一颗粒最高容量将达 1Gb 和 1.33Gb。

KIOXIA 和 WD 合作宣布已开发完成第五世代 BiCS NAND 型闪存芯片颗粒,BiCS5 堆叠层数将达 112 层,也会提供 TLC 以及 QLC 纪录形式的产品。

BiCS5 内部结构把逻辑电路摆在资料储存 cell 的下方,称为 CuA(Circuit under Array),内部 plane 数量预计将有所提升,于使用 Toggle 模式的情形下,目前官方给予的传输速度数据为 BiCS4 的 1.5 倍,也就是提升 50% 资料吞吐量,预计搭载至新一代 PCIe 4.0 x4 NVMe SSD 会有不错的表现。


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