刚从 Toshiba Memory 更名 KIOXIA 的铠侠，通过采用 3D 堆叠 96 层 TLC 高速闪存以及高密度封装，让单一高速闪存封装拥有 1TB 大容量，仅需 2 颗即可于 M.2 2280 固态 提供 2TB 的容量，并推出性能版 XG6-P 固态。动装置持续追求轻、薄、短、小，在有限的空间内发挥最大的性能，固态 封装也成为被检讨的对象。Toshiba Memory 去年 10 月更名为 KIOXIA，中文译名为铠侠，日前推出 M.2 2230 规格的 BG4 NVMe 固态，单一封装整合固态 控制器与 NAND 高速闪存，近日又针对高性能客户端市场正式推出 XG6-P。
XG6-P 后缀 P 字样，表示其为 Performance 性能版，相对前一代 XG5-P 或是 XG-6 看中更高的市场定位；更为特别的是，原先 XG6 为保有轻薄体积，采用 M.2 2280 单面设计，最大提供 1TB 容量选项；XG6-P 保有原本的 BiSC4 96 层 3D 堆叠高速闪存，进一步采用高密度封装，采用单颗容量达 1TB 的高速闪存，M.2 2280 单面上料安装 2 颗，即可提供 2TB 大容量。
XG6-P 集高性能与大容量优点于一身，因此能够符合影像创作者的需求，将影片档案或是 CG 模型档放入 XG6-P 进行编辑相当简单快速。另一方面，应用日趋壮大的 AI 机器学习，或者是单纯追求高速读写的工作站、高阶桌上型电脑，同样能够因 XG6-P 的高性能与大容量而受惠。
一、 XG6-P 2TB 规格参数
产品型号：KXG60PNV2T04
外观形式：M.2 M key 2280
速度：PCIe 3.0 x4 NVMe
容量：2TB
写入寿命：未知
电源需求：3.3V
其它：1500000hrs MTTF
2.23mm 塞入 2TB
XG6-P 目前仅有采用 1TB 高密度封装高速闪存颗粒的 2TB 容量版本，与前一代 XG5-P 与 XG5 有着 1TB 容量交集的状况有些不同，也因为封装容量大，内部 CE 堆叠与可供操作的容量区块更多，让 XG6-P 拥有良好读写性能，更可以打入大容量市场。
▲ XG6-P 采用 2 颗封装容量 1TB 的高速闪存，因此零组件均安排在 M.2 2280 电路板正面，其中外露的黑色芯片为动态随机内存，固态控制器芯片与高速闪存均位于型号贴纸之下。
▲ XG6-P 背面并未焊上电子零件，仅可见到位于防焊漆之下，蚀刻铜箔形成的电路线路。
由下列图片可以观察到，XG6-P 2TB 容量版本采用 2 颗标示为 TH58LJT3X24BAEG 的高速闪存封装，内部依旧采用该厂自行生产的 BiCS4 3D 堆叠 96 层 TLC 类型产品，根据 KIOXIA 高速闪存封装型号的命名规则，型号其中的「T3」就表示 1TB 容量。
根据应用的不同，部分使用场所要求固态 需要提供加密能力，以便维护机密资料档案。XG6-P 提供 2 种版本，本文测试型号 KXG60PNV2T04 支持 TCG Pyrite 1.0，SED（Self-Encrypting Drive）自我加密版本型号则是 KXG6APNV2T04，支持 TCG Opal 2.01，提供使用者弹性的选择。
▲本次测试的 XG6-P 2TB 版本，型号为 KXG60PNV2T0，SED 版本则是 KXG6APNV2T04。
▲撕除 XG6-P 的型号贴纸，即可见到 2 颗高速闪存封装的型号，均为 TH58LJT3X24BAEG，单颗容量 1TB。
卸下型号贴纸，除了能够窥见高速闪存，也连带揭示固态 主控芯片型号为 TC58NCP090GSD，与 XG6 相同。该固态 控制器芯片对外支持 PCIe 3.0 x4 通道以及 NVMe 1.3a 存取协议，对内支持 8 通道高速闪存，并需要外接 DRAM 动态内存作为快取以及 FTL（Flash Translation Layer）操作加速之用。
▲ XG6-P 采用 M.2 M key 的规格，支持 PCIe 3.0 x4 通道以及 NVMe 1.3a 存取协议。
这款固态 主控芯片以及作业软件，支持 KIOXIA 自行研发的 QSBC（Quadruple Swing-By Code）错误检测与纠错演算法，相对于 TLC 类型内存颗粒经常使用的 LDPC（Low-Density Parity-Check）或其变体，QSBC 宣称具有较强的纠错能力与演算效率。
▲ XG6-P 固态控制器芯片使用自家 TC58NCP090GSD 型号。与 XG6、XG5、XG5-P 相同。
动态内存部分，XG6-P 采用 1 颗 Samsung K4E6E304EB-EGCF LPDDR3-2133，速度略微提升，并遵守固态 1GB 容量对应 1MB 动态内存的规则，该动态内存封装容量为 2GB。此外因应客户端产品开机、关机时的运作温度不同，XG6-P 于 BGA 芯片底部均有填胶处理，避免长期使用热涨冷缩容易导致 BGA 锡球破裂的问题。
▲ XG6-P 遵守 1GB 容量对应 1MB 动态内存的潜规则，安装容量 2GB 的 K4E6E304EB-EGCF。
▲为了避免长期使用热涨冷缩导致芯片与电路板分离，XG6-P BGA 芯片底部均有填胶处理。
XG6-P 仍旧支持 SLC Cache 写入模式，提升固态 写入速度表现，表定读写速度相对于 XG5-P 提升至 3180MB/s 和 2920MB/s，SLC Cache 容量有望随着整体容量提升而增加，于大档写入时提供比 XG6 1TB 更好的性能。
KIOXIA 没有提供 XG6-P 的 TBW（Total Bytes Written）或是 DWPD（Drive Writes Per Day）等写入总量资讯，仅标明 MTTF（Mean Time To Failure）为 150 万小时，固态 控制器同步支持 Host Controlled Thermal Management 功能，运作温度范围可达 0℃～90℃，固态 其余零组件则是 0℃～85℃。运作消耗电量为稍高的 4.9W，进入 L1.2 省电模式时则维持 3mw。
▲通过 CrystalDiskInfo 抓取的 XG6-P 资讯，韧体名称尚未变更为 KIOXIA，Windows 10 桌面待机温度约为 39℃。
二、性能表现测试
这次 XG6-P 仅推出 2TB 容量版本，不若前一世代 XG5 和 XG5-P 之间交错 1TB 容量版本，因此市场定位相当明确，看中高性能读写需求之外，同时亦需要储存容量的人士。
厂商表示 XG6-P 循序读写性能为 3180MB/s 和 2920MB/s，写入相对于 XG6 1TB 容量版本稍微降低 40MB/s，但仍旧提供数一数二的表现，遑论因容量加大，让写入一致性性能这个重要性能指标进步不少。首先是 CrystalDiskMark，改版之后降低测试时的伫列深度，但 XG6-P 依然有着不错的表现。
▲ XG6-P 于 CrystalDiskMark 测试，循序读写分别可提供 3280MB/s 和 3060MB/s 以上的速度，实际测试比 XG6 还要好。
AS 固态 Benchmark 测试时，XG6-P 2TB 缴出 4592 分，循序读写速度相较 XG6 1TB 稍快，多个测试项目的 IOPS 表现亦有所成长，相同的法则也能够套用在 ATTO Disk Benchmark 身上。
▲ XG6-P 于 AS 固态 Benchmark 获得 4592 分。
▲将 AS 固态 Benchmark 显示页面切换至 IOPS，XG6-P 于多个测试项目亦有所成长。
▲通过 AS 固态 Compression-Benchmark 测试，得知 XG6-P 性能表现不受传输资料可压缩度影响，写入曲线保有该控制器特有起伏特性，但读取曲线则相当平稳。
▲当 ATTO Disk Benchmark 测试伫列深度设定至 32，XG6-P 循序读写速度最快可达 3.02GB/s 和 2.86GB/s。
▲ XG6-P 于 ATTO Disk Benchmark 测试，读取 IO/s 高峰约落在 512Byte~16KB 传输区块大小之间，写入 IO/s 高峰则为 4KB~16KB。
